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對於故障分析而言，微光顯微鏡(Emission Microscope, EMMI)是一種相當有用且效率極高的分析工具。微光顯微鏡其高靈敏度的偵測能力，可偵測到半導體元件中電子－電洞對再結合時所發射出來的光線，能偵測到的波長約在 350nm ~ 1100nm 左右。它可以廣泛的應用於偵測IC中各種元件缺陷所產生的漏電流，如： Gate oxide defects / Leakage、Latch up、ESD failure、junction Leakage 等。

偵測的到亮點之情況：

會產生亮點的缺陷 - Junction Leakage; Contact spiking; Hot electrons; Latch-Up; Gat oxide defects / Leakage(F-N current);

Poly-silicon filaments; Substrate damage; Mechanical damage及Junction Avalanche等

原來就會有的亮點 - Saturated/ Active bipolar transistors; -Saturated MOS/Dynamic CMOS; Forward biased diodes/Reverse

biased diodes(break down) 等

偵測不到亮點之情況：

不會出現亮點的故障 - Ohmic short及Ｍetal short

亮點被遮蔽之情況 - Buried Junctions及Leakage sites under metal